[实用新型]欠电压保护电路有效

专利信息
申请号: 201520156737.2 申请日: 2015-03-19
公开(公告)号: CN204464965U 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 朱志勇;崔炎;王小六 申请(专利权)人: 苏州松田微电子有限公司
主分类号: H02H7/10 分类号: H02H7/10;H02H3/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电压 保护 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及欠电压保护电路。

背景技术

现有直流电源的欠电压保护有待提高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种欠电压保护电路,其能检测输入电压是否低于额定范围。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种欠电压保护电路,包括直流电源输入端、接地点、PNP三极管、NPN三极管和欠压信号线;

所述直流电源输入端通过第一支路连接接地点;所述第一支路上由直流电源输入端至接地点依次串联有第一电阻和第二电阻;所述第二电阻两端还并联有第一电容;

所述直流电源输入端还通过第二支路连接PNP三极管的集电极;所述第二支路上由直流电源输入端至PNP三极管集电极依次串联有第三电阻和第四电阻;

所述PNP三极管的基极通过第三支路连接第一支路;所述第三支路与第一支路的连接点位于第一电阻和第二电阻之间;所述第三支路上设有二极管,所述二极管的正极与PNP三极管的基极连接;

所述PNP三极管的发射极通过第四支路连接接地点;所述第四支路上设有第五电阻;

所述NPN三极管的基极与PNP三极管的集电极连接;

所述NPN三极管的发射极连接接地点;

所述NPN三极管的集电极通过第五支路连接接地点;所述第五支路上设有第二电容;

所述欠压信号线连接NPN三极管的集电极。 

本实用新型的优点和有益效果在于:提供一种欠电压保护电路,其能检测输入电压是否低于额定范围。

采用第一电阻和第二电阻组成电压检测电路,当直流电源输入端的电压低于一定值时,由二极管驱动PNP三极管导通,进而NPN三极管导通,欠压信号线连接连接电源管理IC,电源管理IC可根据欠压信号线的导通来关闭电源,达到欠电压保护的目的。

附图说明

图1是本实用新型的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

本实用新型具体实施的技术方案是:

如图1所示,一种欠电压保护电路,包括直流电源输入端INPUT+、接地点AGND、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2和欠压信号线VL;

所述直流电源输入端INPUT+通过第一支路连接接地点AGND;所述第一支路上由直流电源输入端INPUT+至接地点AGND依次串联有第一电阻R1和第二电阻R2;所述第二电阻R2两端还并联有第一电容C1;

所述直流电源输入端INPUT+还通过第二支路连接PNP三极管Q1的集电极C;所述第二支路上由直流电源输入端INPUT+至PNP三极管Q1集电极C依次串联有第三电阻R3和第四电阻R4;

所述PNP三极管Q1的基极B通过第三支路连接第一支路;所述第三支路与第一支路的连接点位于第一电阻R1和第二电阻R2之间;所述第三支路上设有二极管,所述二极管的正极与PNP三极管Q1的基极B连接;

所述PNP三极管Q1的发射极E通过第四支路连接接地点AGND;所述第四支路上设有第五电阻R5;

所述NPN三极管Q2的基极B与PNP三极管Q1的集电极C连接;

所述NPN三极管Q2的发射极E连接接地点AGND;

所述NPN三极管Q2的集电极C通过第五支路连接接地点AGND;所述第五支路上设有第二电容C2;

所述欠压信号线VL连接NPN三极管Q2的集电极C。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

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