[实用新型]高光抽取效率GaN基LED透明电极结构有效
| 申请号： | 201520136233.4 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN204407352U | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李睿 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种透明电极结构，尤其是一种高光抽取效率GaN基LED透明电极结构，属于LED半导体器件的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述高光抽取效率GaN基LED透明电极结构，包括GaN基板；在所述GaN基板上设置纳米柱层以及覆盖所述纳米柱层上的ITO层；所述纳米柱层包括若干纳米柱，ITO层覆盖在纳米柱上，并填充在纳米柱两侧的柱隔离孔内，以使得ITO层与GaN基板欧姆接触。本实用新型能显著提高GaN基正装LED的光抽取效率，工艺操作方便，成本低，适应范围广，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 抽取 效率 gan led 透明 电极 结构 | ||
【主权项】：
一种高光抽取效率GaN基LED透明电极结构，包括GaN基板(1)；其特征是：在所述GaN基板(1)上设置纳米柱层以及覆盖所述纳米柱层上的ITO层(4)；所述纳米柱层包括若干纳米柱(2)，ITO层(4)覆盖在纳米柱(2)上，并填充在纳米柱(2)两侧的柱隔离孔(3)内，以使得ITO层(4)与GaN基板(1)欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏新广联半导体有限公司;，未经江苏新广联半导体有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520136233.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
