[实用新型]高光抽取效率GaN基LED透明电极结构有效
| 申请号： | 201520136233.4 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN204407352U | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李睿 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抽取 效率 gan led 透明 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高光抽取效率GaN基LED透明电极结构，包括GaN基板(1)；其特征是：在所述GaN基板(1)上设置纳米柱层以及覆盖所述纳米柱层上的ITO层(4)；所述纳米柱层包括若干纳米柱(2)，ITO层(4)覆盖在纳米柱(2)上，并填充在纳米柱(2)两侧的柱隔离孔(3)内，以使得ITO层(4)与GaN基板(1)欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的高光抽取效率GaN基LED透明电极结构，其特征是：所述纳米柱(2)为氮化硅纳米柱，纳米柱(2)的高度、直径均位于1/4λ～λ，其中，λ为GaN基LED出光的光波长。
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