[实用新型]导引传感器磁通量增强装置有效
| 申请号： | 201520123356.4 | 申请日： | 2015-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN204405820U | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 李继征;曹倩 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨万和机电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 哈尔滨东方专利事务所 23118 | 代理人： | 陈晓光 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种导引传感器磁通量增强装置。目前现有的导引传感器多为磁传感器，由于制作工艺、体积和磁感应元件的灵敏度限制，磁传感器本身在相同的条件下的检测距离为8mm，如果想加大检测距离则器件工作非常不稳定，而且随着工作时间的增加，霍尔的温度增加，导致霍尔出现温漂，也是器件出现不稳定的情况。一种导引传感器磁通量增强装置，其组成包括：主控芯片（2），所述的主控芯片分别与一组霍尔芯片（1）、电源模块（3）、驱动芯片（4）、程序接口（6）连接，所述的驱动芯片与工作接口（5）连接，所述的霍尔芯片上具有磁场加强块（7）。本实用新型应用于导引传感器磁通量增强装置。 | ||
| 搜索关键词： | 导引 传感器 磁通量 增强 装置 | ||
【主权项】：
一种导引传感器磁通量增强装置，其组成包括：主控芯片，其特征是：所述的主控芯片分别与一组霍尔芯片、电源模块、驱动芯片、程序接口连接，所述的驱动芯片与工作接口连接，所述的霍尔芯片上具有磁场加强块。
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