[实用新型]导引传感器磁通量增强装置

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种导引传感器磁通量增强装置。

背景技术：

目前现有的导引传感器多为磁传感器，由于制作工艺、体积和磁感应元件的灵敏度限制，磁传感器本身在相同的条件下的检测距离为8mm，如果想加大检测距离则器件工作非常不稳定，而且随着工作时间的增加，霍尔的温度增加，导致霍尔出现温漂，也是器件出现不稳定的情况。

发明内容：

本实用新型的目的是提供一种导引传感器磁通量增强装置。

上述的目的通过以下的技术方案实现：

一种导引传感器磁通量增强装置，其组成包括：主控芯片，所述的主控芯片分别与一组霍尔芯片、电源模块、驱动芯片、程序接口连接，所述的驱动芯片与工作接口连接，所述的霍尔芯片上具有磁场加强块。

所述的导引传感器磁通量增强装置，所述的电源模块型号为L7805AC-V、所述的主控芯片型号为ATmega8L-8PI、所述的驱动芯片型号为ULN2003、所述的霍尔芯片采用496b，所述的磁场加强块为导磁性能好的超微晶材料压铸块，所述的磁场加强块尺寸为2mmx3mmx12mm。

本实用新型的有益效果：

1.本实用新型不改变原传感器的工作模式，而让探测磁条的检测距离大幅度增加，并且工作更加稳定，通过在磁感应元件（霍尔器件）上方增加加强块，增强磁感应元件（霍尔器件）的检测距离，此结构简单可靠，能够大幅度增加检测距离。

本实用新型采用超微晶强力导磁材料做成的一体磁场加强块安装在霍尔芯片上方，以增加霍尔的灵敏度和测量距离，并且磁场加强块可以将原件工作产生的温度导出，使原件减少温度增加的影响，超微晶材料,利用粉末压铸工艺将超微晶粉末按照要求的尺寸（2mmx3mmx12mm）压铸成型，可有效增加增强强度。

本实用新型霍尔芯片检测磁场,并将信号传送给主控芯片,主控芯片经过解析将信号传给驱动芯片,经过驱动芯片放大信号后通过工作接口送出;工作接口中的电源通过电源模块将电源进行变压然后将DC10v-DC15v转换为DC5v电源供工作芯片,驱动芯片,霍尔芯片工作。

附图说明：

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型电路图。

具体实施方式：

实施例1：

一种导引传感器磁通量增强装置，其组成包括：主控芯片2，所述的主控芯片分别与一组霍尔芯片1、电源模块3、驱动芯片4、程序接口6连接，所述的驱动芯片与工作接口5连接，所述的霍尔芯片上具有磁场加强块7。

实施例2：

根据实施例1所述的导引传感器磁通量增强装置，所述的电源模块型号为L7805AC-V、所述的主控芯片型号为ATmega8L-8PI、所述的驱动芯片型号为ULN2003、所述的霍尔芯片采用496b，所述的磁场加强块为导磁性能好的超微晶材料压铸块，所述的磁场加强块尺寸为2mmx3mmx12mm。