[实用新型]采用深沟槽隔离的图像传感器

摘要

本实用新型提供一种采用深沟槽隔离的图像传感器，包括：衬底；位于所述衬底上的若干隔离结构，所述隔离结构隔离像素单元；覆盖隔离结构的外延单晶硅层；位于所述外延单晶硅层中的部分图像传感器器件。本实用新型的技术方案中，于形成图像传感器器件之前形成深沟槽隔离结构，该隔离结构的表面形状较好、缺陷较少，并且可以通过外延高温过程进行修复，进一步消除缺陷的影响，使得隔离结构的界面更加优良，由于深沟槽隔离结构在器件之前形成，工艺手段、环境的可选择性较广，无需考虑对器件的损害，用于形成器件的外延单晶硅层在隔离结构形成后生长，高温制程保证了不会有应力传导进硅器件区域，保证了图像传感器器件性能。

主权项

一种采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的若干隔离结构，所述隔离结构隔离像素单元；覆盖隔离结构的外延单晶硅层；位于所述外延单晶硅层中的部分图像传感器器件。