[实用新型]采用深沟槽隔离的图像传感器

权利要求书

1.一种采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的若干隔离结构，所述隔离结构隔离像素单元；

覆盖隔离结构的外延单晶硅层；

位于所述外延单晶硅层中的部分图像传感器器件。

2.如权利要求1所述的采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包括位于所述衬底中的若干深沟槽，以及填充至所述深沟槽中的介质和导电材质。

3.如权利要求1所述的采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包括位于所述外延单晶硅层中的若干深沟槽，以及填充至所述深沟槽中的介质和导电材质。

4.如权利要求2或3所述的采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构中的导电材质与预设电压相连。

5.如权利要求2或3所述的采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，所述深沟槽的深度为1微米~5微米。

6.如权利要求2或3所述的采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，所述深沟槽的关键尺寸为0.01微米~1微米。

7.如权利要求1所述的采用深沟槽隔离的图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包围区域的硅具有由界面向硅中心方向的浓度梯度分布的掺杂层。