[实用新型]一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件有效
| 申请号： | 201520104941.X | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN204375755U | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘雪松;成建兵;俞露露;陈旭东;郭厚东;滕国兵 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的介质隔离与结隔离相结合的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性,另外一方面也可以减小器件的尺寸面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质隔离 隔离 相结合 ligbt 器件 | ||
【主权项】：
一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，其特征是：在硅衬底(1)上具有埋氧层(2)；埋氧层上具有漂移区(3)；漂移区一侧为阴极区，一侧为阳极区；在P体区(4)中依次为阴极重掺杂P+区(5)、阴极重掺杂N+区(6)；阳极P+区(8)下轻掺杂N缓冲区(7)，阳极重掺杂N+区(11)下轻掺杂P缓冲区(10)，P缓冲区(10)不完全包围阳极重掺杂N+区(11),空隙距离为d，阳极P+区(8)和N+区(11)之间用二氧化硅介质(9)隔离；器件上部依次为阴极(12)、栅极(13)、阳极(15)；阴极重掺杂N+区(6)、漂移区(3)之间，P体区(4)的上端为沟道(16)；栅极(13)横跨阴极重掺杂N+区(6)、沟道(16)、漂移区(3)上方，中间有较薄的氧化层(14)隔离；所述硅衬底(1)、漂移区(3)、阴极重掺杂N+区(6)、N缓冲区(7)、阳极重掺杂N+区(11)为N型；阴极P体区(4)、阴极重掺杂P+区(5)、阳极重掺杂P+区(8)、轻掺杂P缓冲区(10)为P型。
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