[实用新型]一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件有效
| 申请号： | 201520104941.X | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN204375755U | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 刘雪松;成建兵;俞露露;陈旭东;郭厚东;滕国兵 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介质隔离 隔离 相结合 ligbt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，其特征是：在硅衬底(1)上具有埋氧层(2)；埋氧层上具有漂移区(3)；漂移区一侧为阴极区，一侧为阳极区；在P体区(4)中依次为阴极重掺杂P+区(5)、阴极重掺杂N+区(6)；阳极P+区(8)下轻掺杂N缓冲区(7)，阳极重掺杂N+区(11)下轻掺杂P缓冲区(10)，P缓冲区(10)不完全包围阳极重掺杂N+区(11),空隙距离为d，阳极P+区(8)和N+区(11)之间用二氧化硅介质(9)隔离；器件上部依次为阴极(12)、栅极(13)、阳极(15)；阴极重掺杂N+区(6)、漂移区(3)之间，P体区(4)的上端为沟道(16)；栅极(13)横跨阴极重掺杂N+区(6)、沟道(16)、漂移区(3)上方，中间有较薄的氧化层(14)隔离；所述硅衬底(1)、漂移区(3)、阴极重掺杂N+区(6)、N缓冲区(7)、阳极重掺杂N+区(11)为N型；阴极P体区(4)、阴极重掺杂P+区(5)、阳极重掺杂P+区(8)、轻掺杂P缓冲区(10)为P型。
2.根据权利要求1所述的介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，其特征在于：所述硅衬底(1)为SOI硅衬底。
3.根据权利要求2所述的介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件，其特征在于：所述阳极区空隙距离d可调。
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