[实用新型]一种双反射镜结构的发光二极管有效
申请号: | 201520083239.X | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN204441317U | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 马祥柱;白继锋;杨凯;李俊承;张双翔;张银桥;王向武 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/38 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种双反射镜结构的发光二极管,属于光电子技术领域,在背电极上依次设置的永久基板、金属键合层、P面反射层、外延层、N面反射层和主电极;P面反射层包括设置在外延层的P-GaP电流扩展层一侧的具有若干通孔的SiO2导电孔层,在所述通孔内及SiO2导电孔层与金属键合层之间蒸镀有镜面层;N面反射层包括设置在外延层的N-AlGaInP粗化层上的SiO2介质膜,在SiO2介质膜上方设置有镜面层,镜面层与扩展电极形成电连接。产品经过多次反射、折射从发光区逸出,同时在主电极下方由于介质膜的制作,形成了肖特基结,从而减小了电流的无效注入,有效提升发光二极管的光取出效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 反射 结构 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种双反射镜结构的发光二极管,包括在背电极上依次设置的永久基板、金属键合层、P面反射层、外延层、N面反射层和主电极;所述外延层包括P‑GaP电流扩展层、缓冲层、P‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N‑AlGaInP限制层、N‑AlGaInP电流扩展层、N‑AlGaInP粗化层和图形化的N‑GaAs欧姆接触层;在N‑GaAs欧姆接触层上电连接有扩展电极层;其特征在于:所述P面反射层包括设置在外延层的P‑GaP电流扩展层一侧的具有若干通孔的SiO2导电孔层,在所述通孔内及SiO2导电孔层与金属键合层之间蒸镀有镜面层;所述N面反射层包括设置在外延层的N‑AlGaInP粗化层上的SiO2介质膜,在SiO2介质膜上方设置有镜面层,镜面层与扩展电极形成电连接;所述主电极由阻挡层和焊线层组成,阻挡层设置在镜面层上方,焊线层设置在阻挡层上方。
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