[实用新型]一种双反射镜结构的发光二极管有效
| 申请号： | 201520083239.X | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN204441317U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 马祥柱;白继锋;杨凯;李俊承;张双翔;张银桥;王向武 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/38 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射 结构 发光二极管 | ||
1.一种双反射镜结构的发光二极管，包括在背电极上依次设置的永久基板、金属键合层、P面反射层、外延层、N面反射层和主电极；
所述外延层包括P-GaP电流扩展层、缓冲层、P-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N-AlGaInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP粗化层和图形化的N-GaAs欧姆接触层；
在N-GaAs欧姆接触层上电连接有扩展电极层；
其特征在于：所述P面反射层包括设置在外延层的P-GaP电流扩展层一侧的具有若干通孔的SiO2导电孔层，在所述通孔内及SiO2导电孔层与金属键合层之间蒸镀有镜面层；
所述N面反射层包括设置在外延层的N-AlGaInP粗化层上的SiO2介质膜，在SiO2介质膜上方设置有镜面层，镜面层与扩展电极形成电连接；
所述主电极由阻挡层和焊线层组成，阻挡层设置在镜面层上方，焊线层设置在阻挡层上方。
2.根据权利要求1所述双反射镜结构的发光二极管，其特征在于所述P面反射层中的镜面层的厚度为100～300nm。
3.根据权利要求1所述双反射镜结构的发光二极管，其特征在于所述N面反射层中的镜面层的厚度为100～300nm。
4.根据权利要求1或3所述双反射镜结构的发光二极管，其特征在于所述N面电极反射层中的阻挡层的厚度为50～100nm。
5. 根据权利要求1所述双反射镜结构的发光二极管，其特征在于所述图形化的N-GaAs欧姆接触层的厚度为40～80nm。
6.根据权利要求1所述双反射镜结构的发光二极管，其特征在于所述P-GaP电流扩展层的厚度为2～5μnm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520083239.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种高效电流注入发光二极管
- 下一篇：一种近红外发光二极管
