[实用新型]一种高效电流注入发光二极管有效
| 申请号： | 201520083208.4 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN204441318U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 白继锋;马祥柱;杨凯;李俊承;张双翔;张银桥;王向武 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高效电流注入发光二极管，属于光电子技术领域，特别涉及AlGaInP四元系发光二极管的制造技术领域。从下到上依次包括第二电极、衬底、N-GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层、P-GaP电流扩展层、透明导电层和第一电极，其特点是：所述P-GaP电流扩展层为三层，分别为第一P-GaP电流扩展层、图形化的第二P-GaP电流扩展层和图形化的第三P-GaP电流扩展层。本实用新型改变了电流注入的分布，大大提升电流注入效率，提升了发光二极管的发光强度，可以有效提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 电流 注入 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种高效电流注入发光二极管，从下到上依次包括第二电极、衬底、N‑GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N‑AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P‑AlGaInP上限制层、P‑GaInP缓冲层、P‑GaP电流扩展层、透明导电层和第一电极，其特征在于所述P‑GaP电流扩展层为三层，分别为第一P‑GaP电流扩展层、图形化的第二P‑GaP电流扩展层和图形化的第三P‑GaP电流扩展层。
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