[实用新型]一种高效电流注入发光二极管有效
申请号: | 201520083208.4 | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN204441318U | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 白继锋;马祥柱;杨凯;李俊承;张双翔;张银桥;王向武 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 电流 注入 发光二极管 | ||
1.一种高效电流注入发光二极管,从下到上依次包括第二电极、衬底、N-GaAs过渡层、AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、MQW多量子阱有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层、P-GaP电流扩展层、透明导电层和第一电极,其特征在于所述P-GaP电流扩展层为三层,分别为第一P-GaP电流扩展层、图形化的第二P-GaP电流扩展层和图形化的第三P-GaP电流扩展层。
2.根据权利要求1所述高效电流注入发光二极管,其特征在于:第一P-GaP电流扩展层厚度为1500~2000nm,图形化的第二P-GaP电流扩展层厚度为50~70nm,图形化的第三P-GaP电流扩展层厚度为50~70nm。
3.根据权利要求1所述高效电流注入发光二极管,其特征在于:所述透明导电层的厚度为250~300nm。
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