[实用新型]肖特基二极管

摘要

本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括：半导体衬底，由堆叠覆盖，堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；肖特基接触，在第二GaN层的与衬底相对的第一表面上；第一金属层，将第一GaN层的与衬底相对的第一表面连接至衬底，金属层位于外围开口中，外围开口位于堆叠的未由肖特基接触覆盖的区域中，该开口从第二层的第一表面延伸至衬底；以及第二金属层，覆盖与衬底的第一表面相对的衬底的第二表面。

主权项

一种肖特基二极管(400)，其特征在于，包括：半导体衬底(401)，由堆叠覆盖，所述堆叠从所述衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层(403)、第一N型掺杂GaN层(405)、以及具有比所述第一N型掺杂GaN层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层(407)；肖特基接触(409)，在所述第二N型掺杂GaN层(407)的与所述衬底相对的第一表面上；第一金属层(411)，将所述第一N型掺杂GaN层(405)的与所述衬底相对的第一表面连接至所述衬底(401)，所述金属层(411)位于外围开口(410)中，所述外围开口(410)位于所述堆叠的未由所述肖特基接触(409)覆盖的区域中，该开口(410)从所述第二N型掺杂GaN层(407)的所述第一表面延伸至所述衬底(401)；以及第二金属层(413)，覆盖与所述衬底(401)的第一表面相对的所述衬底(401)的第二表面。