[实用新型]肖特基二极管有效
| 申请号： | 201520079978.1 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN204516775U | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | A·伊万;D·阿尔奎尔;Y·科尔迪耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心;法国国立图尔大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
1.一种肖特基二极管(400)，其特征在于，包括：
半导体衬底(401)，由堆叠覆盖，所述堆叠从所述衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层(403)、第一N型掺杂GaN层(405)、以及具有比所述第一N型掺杂GaN层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层(407)；
肖特基接触(409)，在所述第二N型掺杂GaN层(407)的与所述衬底相对的第一表面上；
第一金属层(411)，将所述第一N型掺杂GaN层(405)的与所述衬底相对的第一表面连接至所述衬底(401)，所述金属层(411)位于外围开口(410)中，所述外围开口(410)位于所述堆叠的未由所述肖特基接触(409)覆盖的区域中，该开口(410)从所述第二N型掺杂GaN层(407)的所述第一表面延伸至所述衬底(401)；以及
第二金属层(413)，覆盖与所述衬底(401)的第一表面相对的所述衬底(401)的第二表面。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管(400)，其特征在于，还包括覆盖与所述衬底(401)的第一表面相对的所述衬底(401)的第二表面的第二金属层(413)。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管(400)，其特征在于，所述开口(410)包括穿过所述第二N型掺杂GaN层(407)并且出现在所述第一N型掺杂GaN层(405)的第一表面上的第一外围部分、以及穿过两个所述GaN层(405、407)和所述缓冲层(403)并且一直延伸至所述衬底(401)的中心部分。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管(400)，其特征在于，所述开口(410)停止于所述衬底(401)的所述第一表面上。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管(400)，其特征在于，所述开口(410)一直延续至所述衬底(401)的中间水平面。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管(400)，其特征在于，所述衬底(401)由硅制成。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管(400)，其特征在于，所述第一金属层(411)不用于连接至外部部件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心;法国国立图尔大学，未经意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心;法国国立图尔大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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