[实用新型]一种三维叠层封装结构

摘要

本实用新型公开了一种三维叠层封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括封装单体B（20）和位于封装单体B（20）下方的若干个叠层封装的封装单体A（10），所述封装单体A（10和封装单体B（20）之间以及上下相邻两个封装单体A（10）之间通过连接部件（8）固连，所述封装单体A（10）包括芯片封装体和下封装体，芯片Ⅰ（41）位于整个芯片封装体的中央，封装单体B（20）包括芯片封装体和下封装体，芯片Ⅱ（42）位于整个芯片封装体的中央。本实用新型形成的三维叠层封装结构不需载板承载芯片，结构简洁，符合小型化发展趋势。

主权项

一种三维叠层封装结构，其特征在于：其包括封装单体B(20)和位于封装单体B(20)下方的若干个叠层封装的封装单体A(10)，所述封装单体A(10)和封装单体B(20)之间以及上下相邻两个封装单体A(10)之间通过连接部件(8)固连，所述封装单体A(10)包括芯片封装体和下封装体，所述芯片封装体包括至少一个芯片Ⅰ(41) 和再布线金属层(122)，所述芯片Ⅰ(41) 位于整个芯片封装体的中央，所述再布线金属层(122)选择性地设置于该芯片Ⅰ(41)的四周，所述芯片Ⅰ(41) 与再布线金属层(122)的近芯片端通过连接件Ⅰ连接，所述再布线金属层(122)的下表面设置金属种子层(121)，并于所述金属种子层(121)的下表面设置芯片封装体的下输入/输出端(124)，于所述芯片Ⅰ(41) 同侧，所述再布线金属层(122)的远芯片端设置金属柱Ⅱ(123)，所述金属柱Ⅱ(123)与再布线金属层(122)固连，且该金属柱Ⅱ(123)的水平高度高于芯片Ⅰ(41) 的水平高度，所述再布线金属层(122)、金属柱Ⅱ(123)、芯片Ⅰ(41)、连接件Ⅰ和金属种子层(121)及其彼此间的空间填充包封材料，形成包封材料层Ⅱ(128)，所述包封材料层Ⅱ(128)露出金属柱Ⅱ(123)的上表面，形成芯片封装体的上输入/输出端(125)；所述下封装体包括金属柱Ⅰ(111)和包封材料层Ⅰ(112)，所述金属柱Ⅰ(111)与所述芯片封装体的下输入/输出端(124)固连，所述包封材料层Ⅰ(112)包封金属柱Ⅰ(111)，且露出金属柱Ⅰ(111)的下表面，形成下封装体的输入/输出端(113)；封装单体B(20)包括芯片封装体和下封装体，所述芯片封装体包括至少一个芯片Ⅱ(42)和再布线金属层(222)，所述芯片Ⅱ(42)位于整个芯片封装体的中央，所述再布线金属层(222)选择性地设置于该芯片Ⅱ(42)的四周，所述芯片Ⅱ(42)与再布线金属层(222)的近芯片端通过连接件Ⅱ连接，所述再布线金属层(222)的下表面设置金属种子层(221)，并于所述金属种子层(221)的下表面设置芯片封装体的下输入/输出端(224)，所述再布线金属层(222)、芯片Ⅱ(42)和金属种子层(221)及其彼此间的空间填充包封材料，形成包封材料层Ⅱ(228)；所述下封装体包括金属柱Ⅰ(211)和包封材料层Ⅰ(212)，所述金属柱Ⅰ(211)与所述芯片封装体的下输入/输出端(224)固连，所述包封材料层Ⅰ(212)包封金属柱Ⅰ(211)，且露出金属柱Ⅰ(211)的下表面，形成下封装体的输入/输出端(213)。