[实用新型]变频器上的MOS管总成结构有效
| 申请号： | 201520031319.0 | 申请日： | 2015-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN204465326U | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 彭华斌 | 申请（专利权）人： | 浙江德弗电气技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/00 | 分类号： | H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 317700 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种变频器上的MOS管总成结构，包括MOS管及铅基板，所述铅基板上开设有固定孔，所述铅基板上贴片有铝片，所述MOS管贴合在铝片上。优点是：本实用新型的结构简单，MOS管通过贴合在铅基板的铝片上，这样在安装的时候更加方便，提高生产效率且绝缘及导热效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 变频器 mos 总成 结构 | ||
【主权项】：
一种变频器上的MOS管总成结构，包括MOS管(10)及铅基板(20)，所述铅基板(20)上开设有固定孔(21)，其特征在于：所述铅基板(20)上贴片有铝片(22)，所述MOS管(10)贴合在铝片(22)上。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
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