[实用新型]变频器上的MOS管总成结构有效

申请号：	201520031319.0	申请日：	2015-01-16
公开（公告）号：	CN204465326U	公开（公告）日：	2015-07-08
发明（设计）人：	彭华斌	申请（专利权）人：	浙江德弗电气技术有限公司
主分类号：	H02M1/00	分类号：	H02M1/00
代理公司：	北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368	代理人：	郭官厚
地址：	317700 浙***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	变频器 mos 总成结构
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【权利要求书】：

1.一种变频器上的MOS管总成结构，包括MOS管(10)及铅基板(20)，所述铅基板(20)上开设有固定孔(21)，其特征在于：所述铅基板(20)上贴片有铝片(22)，所述MOS管(10)贴合在铝片(22)上。

2.根据权利要求1所述的变频器上的MOS管总成结构，其特征在于：所述铅基板(20)外包覆有防尘罩(30)。

3.根据权利要求2所述的变频器上的MOS管总成结构，其特征在于：所述防尘罩(30)具有一中空容纳部(31)及定位部(32)，所述铅基板(20)设置在中空容纳部(31)内，铅基板(20)上的延伸部(23)固定在定位部(32)上。

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