[实用新型]一种可靠性测试结构有效
| 申请号： | 201520025452.5 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN204332914U | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种可靠性测试结构，至少包括：彼此间隔且呈一行排列的第一至第二十二焊垫；位于每两个焊垫之间的MOS器件；所述MOS器件的源极共同连接于第十一焊垫；所述MOS器件的栅极共同连接于第二十二焊垫；距离所述第十一焊垫越远的所述MOS器件其沟道长度越长。本实用新型将测试结构中不同MOS器件的源极连接在靠近MOS器件的焊垫上，克服了金属连线长而电阻高导致的器件性能下降的缺陷；将测试结构中的MOS器件，按照沟道长度与共用源极焊垫之间的距离进行排序，有效提高了器件的性能；将现有的位于其中两个焊垫之间的一个MOS器件替换为两个共用漏极的MOS结构，有效增加了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种可靠性测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：彼此间隔且呈一行排列的第一至第二十二焊垫；位于每两个焊垫之间的MOS器件；所述MOS器件的源极共同连接于第十一焊垫；所述MOS器件的栅极共同连接于第二十二焊垫；距离所述第十一焊垫越远的所述MOS器件其沟道长度越长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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