[实用新型]一种可靠性测试结构

权利要求书

1.一种可靠性测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：

彼此间隔且呈一行排列的第一至第二十二焊垫；

位于每两个焊垫之间的MOS器件；

所述MOS器件的源极共同连接于第十一焊垫；

所述MOS器件的栅极共同连接于第二十二焊垫；

距离所述第十一焊垫越远的所述MOS器件其沟道长度越长。

2.根据权利要求1所述的可靠性测试结构，其特征在于：位于所述每两个焊垫之间的MOS器件由两个共用漏极的MOS结构组成；该两个共用漏极的MOS结构彼此对称分布且源极相互连接。

3.根据权利要求2所述的可靠性测试结构，其特征在于：位于所述第一至第十一焊垫之间的每个MOS器件中的两个MOS结构的共用漏极连接于与该MOS器件左相邻的所述焊垫；位于所述第十一至第二十一焊垫之间的每个MOS器件中的两个MOS结构的共用漏极连接于与该MOS器件右相邻的所述焊垫。

4.根据权利要求3所述的可靠性测试结构，其特征在于：组成所述每个MOS器件的两个MOS结构的沟道长度、沟道宽度分别彼此相等。

5.根据权利要求4所述的可靠性测试结构，其特征在于：所述每个MOS器件中的所述MOS结构的沟道宽度彼此相等。

6.根据权利要求5所述的可靠性测试结构，其特征在于：所述每个MOS器件中的所述MOS结构的沟道宽度为10微米。

7.根据权利要求6所述的可靠性测试结构，其特征在于：位于第一至第二焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.6微米；位于第二至第三焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.35微米；位于第三至第四焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.18微米。

8.根据权利要求1所述的可靠性测试结构，其特征在于：位于第二十至第二十一焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.6微米；位于第十九至第二十焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.35微米；位于第十八至第十九焊垫之间的MOS器件的沟道长度为0.18微米。

9.根据权利要求1所述的可靠性测试结构，其特征在于：每相邻两个所述焊垫之间的距离彼此相等。