[发明专利]一种玻璃钝化高压双向触发二极管及制备工艺在审
| 申请号： | 201511032825.2 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105405896A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 张淑云 | 申请（专利权）人： | 天津天物金佰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉华 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种玻璃钝化高压双向触发二极管，其制备工艺如下：步骤1，采用p型硅片进行化学抛光；步骤2，双面涂磷进行磷扩散；步骤3，制作氧化层；步骤4，制作短路电极层的硼扩散窗，硼扩散得到短路控制电极，形成双面PNPNP结构；步骤5，制作氧化层；步骤6，制作硼表面接触扩散窗，硼扩散得到表面接触电极层，得到双面P+PNPNPP+结构；步骤7，制作氧化层；步骤8，双面涂胶；第三次双面对准光刻形成深沟槽腐蚀区域，电泳涂布玻璃，烧成微晶玻璃钝化层；步骤9，制作欧姆短路控制电极层；步骤10，划片切分；步骤11，封装。本发明所述的二极管通过上述工艺提高了器件的常温及高温性能，提高了器件的稳定性，应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 钝化 高压 双向 触发 二极管 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种玻璃钝化高压双向触发二极管，包括NPN三层结构的硅片，其特征在于：所述硅片(11)的双面对称光刻腐蚀有硼扩散窗，在该硼扩散窗内有短路电极层(31)，该短路电极层(31)上部还光刻有硼扩散窗，该硼扩散窗内有表面接触电极层(41)，形成双面P+PNPNPP+结构，该双面P+PNPNPP+结构上还光刻腐蚀有电泳钝化沟槽，在该电泳钝化沟槽内有微晶玻璃钝化层(61)，该双面P+PNPNPP+结构双面对称设置有欧姆短路控制电极层(51)。
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