[发明专利]一种红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201511031750.6 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106935676B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 杨天伦;毛剑宏 | 申请(专利权)人: | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/18 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 李时云 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供的红外探测器及其制备方法中,包括:提供基板,所述基板表面具有反射层;形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层,所述牺牲层分别位于所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述热敏电阻层与所述红外吸收层之间;去除所述牺牲层,在所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述红外吸收层与所述热敏电阻层之间分别形成空腔。本发明中,采用两层牺牲层,最终将两层牺牲层去除,分别在红外探测器中形成两个空腔,增加了红外吸收层的面积,减小红外探测器的热容损失,提高了器件的整体性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外探测器的制备方法,其特征在于,包括:提供基板,所述基板表面具有反射层;形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层,所述牺牲层分别位于所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述热敏电阻层与所述红外吸收层之间;去除所述牺牲层,在所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述红外吸收层与所述热敏电阻层之间分别形成空腔,所形成的两个空腔相互连通并且暴露所述热敏电阻层的两个相对的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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