[发明专利]一种红外探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板表面具有反射层；

形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层，所述牺牲层分别位于所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述热敏电阻层与所述红外吸收层之间；

去除所述牺牲层，在所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述红外吸收层与所述热敏电阻层之间分别形成空腔，所形成的两个空腔相互连通并且暴露所述热敏电阻层的两个相对的表面。

2.如权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，形成所述牺牲层、所述接触线、所述热敏电阻层以及所述红外吸收层的步骤包括：

所述基板还包括位于所述反射层两侧的第一互连结构和第二互连结构，在所述反射层上形成第一牺牲层；

形成第一接触线和第二接触线，所述第一接触线与所述第一互连结构电性连接，所述第二接触线与所述第二互连结构电性连接，并均延伸至所述第一牺牲层上方，且所述第一接触线上形成第一接触窗口，所述第二接触线上形成第二接触窗口；

形成热敏电阻层，所述热敏电阻层覆盖所述第一牺牲层、所述第一接触窗口和所述第二接触窗口；

形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖部分所述热敏电阻层，暴露的所述热敏电阻层作为感应窗口；

形成红外吸收层，所述红外吸收层覆盖所述第二牺牲层以及所述感应窗口的底壁和侧壁。

3.如权利要求2所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，去除所述牺牲层的步骤包括：采用等离子体工艺去除所述第一牺牲层以及所述第二牺牲层；所述热敏电阻层与所述反射层之间形成第一空腔；所述红外吸收层与所述热敏电阻层之间形成第二空腔。

4.如权利要求2所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，形成所述第一接触线和所述第二接触线的步骤包括：

形成第一支撑膜层，所述第一支撑膜层覆盖所述第一牺牲层以及部分所述基板；

形成电极膜层，所述电极膜层覆盖所述第一支撑膜层、所述第一互连结构以及所述第二互连结构；

刻蚀所述电极膜层和所述第一支撑膜层，形成所述第一接触线和所述第二接触线。

5.如权利要求4所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，还包括：

形成第二支撑膜层，所述第二支撑膜层覆盖所述电极膜层；

刻蚀所述电极膜层和所述第一支撑膜层的同时还刻蚀所述第二支撑膜层，并分别刻蚀所述第一接触线和所述第二接触线上的部分所述第二支撑膜层，暴露出所述电极膜层，分别形成所述第一接触窗口和所述第二接触窗口。

6.如权利要求2～5任一项所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述第一接触线为折线、梳状或螺旋状。

7.如权利要求2～5任一项所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述第二接触线为折线、梳状或螺旋状。

8.如权利要求2所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为非晶碳、有机聚合物、氧化物、锗或锗化物，厚度为200nm～600nm；所述第二牺牲层的材料为非晶碳、有机聚合物、氧化物、锗或锗化物，厚度为200nm～600nm。

9.如权利要求1所述的红外探测器的制备方法，其特征在于，所述热敏电阻层的材料为非晶硅，厚度为100nm～300nm，所述红外吸收层包括依次沉积的氮化硅、钛金属层和氮化钛金属层，或者依次沉积的氮化硅、氮化钛金属层和氮化硅。

10.一种红外探测器，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板表面具有反射层；

形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层，在所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述红外吸收层与所述热敏电阻层之间分别形成空腔，所形成的两个空腔相互连通并且暴露所述热敏电阻层的两个相对的表面。