[发明专利]一种倒装高压LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种倒装高压LED芯片及其制备方法，在该LED芯片中包括蓝宝石衬底、InGaAlN多层结构、反射层、第一沟槽、保护金属层、第二沟槽、第三沟槽、第四沟槽、M个芯片单元，M大于等于2、第一钝化层、P电极以及N电极，把相邻两个单元之间的N电极和P电极连接起来，第一个单元P电极独立，最后一个单元N电极独立；在整个芯片上再沉积形成第二钝化层，把第一个单元P电极上第二钝化层蚀刻一个区域出来沉积金属层形成P焊垫，把最后一个单元N电极上的第二钝化层蚀刻出一个区域沉积金属层形成N焊垫。其简化了封装工艺，提高芯片性能及可靠性，降低成本。

主权项

一种倒装高压LED芯片，其特征在于，包括蓝宝石衬底、形成于在所述蓝宝石衬底表面的InGaAlN多层结构；形成于所述inGaAlN多层结构表面的反射层及蚀刻出的第一沟槽；包括形成于所述反射层表面的保护金属层及蚀刻出的第二沟槽；包括在第二沟槽内蚀刻InGaAlN多层结构及所形成的第三沟槽；包括在预设位置的第三沟槽蚀刻InGaAlN多层结构所形成的第四沟槽，蚀刻第四沟槽后形成M个芯片单元，M大于等于2；包括形成于整个芯片表面及所述第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽和第四沟槽侧壁的第一钝化层；包括蚀刻保护金属层上第一钝化层从而沉积金属层形成P电极，蚀刻N电极孔第一钝化层并在N电极孔内沉积金属并将多个N电极孔连接起来形成的N电极，把相邻两个单元之间的N电极和P电极连接起来，第一个单元P电极独立，最后一个单元N电极独立；包括在整个芯片上再沉积形成第二钝化层，把第一个单元P电极上第二钝化层蚀刻一个区域出来沉积金属层形成P焊垫，把最后一个单元N电极上的第二钝化层蚀刻出一个区域沉积金属层形成N焊垫。