[发明专利]采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法

摘要

采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，它涉及一种对SiC单晶进行抛光的方法。本发明是为了解决采用金刚石加工SiC，会造成表面损伤，很难达到亚纳米表面粗糙度的技术问题。本方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面，将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟后装针，进针直到无针尖的原子力显微镜探针接触青蒿素晶体，再次将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟；二、预处理；三、刻划；四、观察刻划区域深度。本发明是一种微区模拟的方法，能直观地观察青蒿素晶体对SiC材料的去除情况，且刻划区域明显，重复性好。本发明属于对陶瓷材料局部抛光的领域。

主权项

1.采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面，云母表面的一侧分布紫外固化胶水，将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟后装针，先使无针尖的原子力显微镜探针在云母表面接触到紫外固化胶水后，移动无针尖的原子力显微镜探针到青蒿素晶体的正上方，进针直到无针尖的原子力显微镜探针接触青蒿素晶体，再次将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟；二、预处理：将SiC单晶浸泡在清洗剂的稀释液中超声清洗20～60分钟，用去离子水冲洗，然后将SiC单晶在去离子水中煮20～60分钟，用去离子水冲洗，再将SiC单晶在浓硫酸和过氧化氢的混合液中加热至100℃，浸泡30分钟，用去离子水冲洗，最后用氮气吹干；三、将经过步骤二处理的SiC单晶置于溶液池中，溶液池中充满pH值为1～7的混合溶液A，混合溶液A为硫酸和超纯水混合液，采用经过步骤一处理的无针尖的原子力显微镜探针在刻划区域为5×5μm2的条件下，刻划0.5～5h；四、将经步骤三刻划处理后的SiC单晶片按照步骤二再次清洗，然后在光学显微镜的标记处使用原子力显微镜轻敲模式进行扫描，观察刻划区域深度。