[发明专利]采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法有效

申请号：	201511027840.8	申请日：	2015-12-30
公开（公告）号：	CN105619185B	公开（公告）日：	2018-06-22
发明（设计）人：	甘阳;朱玉蓉;张丹;申健;张飞虎	申请（专利权）人：	哈尔滨工业大学
主分类号：	B24B1/00	分类号：	B24B1/00
代理公司：	哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109	代理人：	侯静
地址：	150001 黑龙***	国省代码：	黑龙江;23
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摘要：
搜索关键词：	青蒿素晶体原子力显微镜探针局部抛光陶瓷材料针尖刻划紫外固化灯辐照预处理表面粗糙度金刚石加工表面损伤云母表面亚纳米抛光单晶观察解理进针微区去除直观
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【权利要求书】：

1.采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法如下：

一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面，云母表面的一侧分布紫外固化胶水，将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟后装针，先使无针尖的原子力显微镜探针在云母表面接触到紫外固化胶水后，移动无针尖的原子力显微镜探针到青蒿素晶体的正上方，进针直到无针尖的原子力显微镜探针接触青蒿素晶体，再次将无针尖的原子力显微镜探针在紫外固化灯下辐照30分钟；

二、预处理：

将SiC单晶浸泡在清洗剂的稀释液中超声清洗20～60分钟，用去离子水冲洗，然后将SiC单晶在去离子水中煮20～60分钟，用去离子水冲洗，再将SiC单晶在浓硫酸和过氧化氢的混合液中加热至100℃，浸泡30分钟，用去离子水冲洗，最后用氮气吹干；

三、将经过步骤二处理的SiC单晶置于溶液池中，溶液池中充满pH值为1～7的混合溶液A，混合溶液A为硫酸和超纯水混合液，采用经过步骤一处理的无针尖的原子力显微镜探针在刻划区域为5×5μm²的条件下，刻划0.5～5h；

四、将经步骤三刻划处理后的SiC单晶片按照步骤二再次清洗，然后在光学显微镜的标记处使用原子力显微镜轻敲模式进行扫描，观察刻划区域深度。

2.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤二中所述清洗剂的稀释液由清洗剂与去离子水按照1:100的质量比组成；所述的清洗剂为deconex清洗剂。

3.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤二中所述浓硫酸和过氧化氢的混合液中浓硫酸与过氧化氢的体积比为3:1。

4.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤三中所述混合溶液A的pH值为2～6。

5.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤三中所述混合溶液A的pH值为3～5。

6.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤三中所述混合溶液A的pH值为4。

7.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤三中在接触模式下的作用时长为1～4.5h。

8.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤三中在接触模式下的作用时长为1.5～4h。

9.根据权利要求1所述采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，其特征在于步骤三中在接触模式下的作用时长为2～3.5h。