[发明专利]SONOS器件的工艺方法在审
| 申请号： | 201511026575.1 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105679712A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 胡君;钱文生;石晶;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SONOS器件的工艺方法,包含步骤：第1步，对硅衬底进行阱注入，且注入剂量及能量大于现有工艺；第2步，对硅表面进行一次硼离子注入；第3步，进行多晶硅淀积；4步，对多晶硅进行刻蚀；第5步，多晶硅侧壁氧化；第6步，轻掺杂漏注入，并进行源、漏区注入。本发明增大了常规阱注入砷的剂量和能量，并在阱注入之后硅表面增加低能量的硼注入，在阱区表面形成弱P型层，使得器件的阈值电压Vt与原来相同，降低漏端电压对表面电势的影响，减小器件VTP电压的偏移。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种SONOS器件的工艺方法，其特征在于，包含如下的工艺步骤：第1步，对硅衬底进行阱注入，注入杂质为砷，注入能量为5～200keV，注入剂量为1E11～1E14/cm2；第2步，对硅表面进行一次硼离子注入；第3步，进行多晶硅淀积；第4步，对多晶硅进行刻蚀；第5步，多晶硅侧壁氧化；第6步，轻掺杂漏注入，并进行源、漏区注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
