[发明专利]具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法有效

专利信息
申请号: 201511020165.6 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN105568238B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 彭寿;杨勇;王芸;徐根保;李刚;曹欣;姚婷婷;蒋继文;张宽翔;金克武 申请(专利权)人: 中国建材国际工程集团有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/02;F24S70/225
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200061 上海市普*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法,包括如下步骤:(1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片进行喷淋(2)清洗金属基片,后用高压N2吹干;(3)采用磁控溅射技术在所述金属基片表面微结构上沉积的TiN高金属填充因子层、TiNxOy低金属填充因子层、TiO2、AlN和SiO2组成的减反层,从而得到太阳能选择性吸收膜系。本发明采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片表面进行喷淋处理,获得微结构的金属基片,然后在金属基片上以磁控溅射技术沉积TiN高金属填充因子层、TiNxOy低金属填充因子层、TiO2,AlN和Al2O3减反层,从而得到具有高吸收率、低发射率太阳能选择性吸收膜系,提高了太阳能光热转换的效率。
搜索关键词: 具有 太阳能 选择性 吸收 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片进行喷淋;(2)清洗金属基片,后用高压N2吹干;并且(3)采用磁控溅射技术在所述金属基片表面微结构上沉积的TiN高金属填充因子层、TiNxOy低金属填充因子层、TiO2、AlN和SiO2组成的减反层,从而得到太阳能选择性吸收膜系。
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