[发明专利]具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法

权利要求书

1.一种具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片进行喷淋，氢氟酸为质量浓度≥40％的氢氟酸水溶液，TMAH为质量浓度≥20％的四甲基氢氧化铵水溶液；复合溶液中氢氟酸和TMAH的体积比为1：(40～70)；使用复合溶液喷淋时间为10～20s；

(2)清洗金属基片，后用高压N₂吹干；并且

(3)采用磁控溅射技术在所述金属基片表面微结构上沉积的TiN高金属填充因子层、TiNxOy低金属填充因子层、TiO₂、AlN和Al₂O₃组成的减反层，从而得到太阳能选择性吸收膜系；所述TiO₂的膜层厚度30～50nm，所述AlN的膜层厚度30～50nm，所述Al₂O₃的膜层厚度30～50nm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属基片为Ag箔片，Cu箔片，Al箔片，或为不锈钢箔片上沉积一层Ag薄膜，Cu薄膜或Al薄膜。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，清洗金属基片，包括先用丙酮超声20min，再用酒精超声20min，最后用去离子水超声20min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，磁控溅射镀TiN薄膜中，本底真空≤9×10^-4Pa；工作压强4～6×10^-1Pa；直流溅射功率75～100W；靶材为Ti靶；溅射工艺气体Ar流量20～30sccm；反应气体N₂流量5～10sccm；膜层厚度30～50nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，磁控溅射镀TiNxOy薄膜中，本底真空≤8×10^-4Pa；工作压强3.5～5.5×10^-1Pa；直流溅射功率100～150W；靶材为Ti靶；溅射工艺气体Ar流量20～30sccm；反应气体O₂流量2～5sccm；反应气体N₂流量5～10sccm；膜层厚度80～100nm；可以是单一组分比的单层TiNxOy薄膜，或者是组分随厚度渐变的渐变TiNxOy薄膜。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，磁控溅射镀TiO₂薄膜中，本底真空≤9×10^-4Pa；工作压强4～6×10^-1Pa；直流溅射功率80～120W；靶材为Ti靶；溅射工艺气体Ar流量20～30sccm；反应气体O₂流量5～10sccm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，磁控溅射镀AlN薄膜中，本底真空≤9×10^-4Pa；工作压强4～6×10^-1Pa；直流溅射功率75～100W；靶材为Al靶；溅射工艺气体Ar流量20～30sccm；反应气体N₂流量5～10sccm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，磁控溅射镀Al₂O₃薄膜中，本底真空≤9×10^-4Pa；工作压强4～6×10^-1Pa；直流溅射功率40～80W；靶材为Al靶；溅射工艺气体Ar流量20～30sccm；反应气体O₂流量5～7sccm。