[发明专利]薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜太阳能电池，包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层，缓冲层包括多层子缓冲层，子缓冲层为Zn1‑xMgxO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4，随光吸收层至透明导电层的方向上，多层子缓冲层的x值在0～t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO，另一侧为Zn1‑tMgtO。Zn1‑tMgtO的导带底略高于CIGS吸收层的导带，ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接，因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合，提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒，进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题，可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。

主权项

一种薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)、在沉积基体上依次沉积氧化锌单分子层和氧化镁单分子层，控制氧化锌单分子层和氧化镁单分子层的沉积次数比例为(1‑x):x，得到子缓冲层，所述子缓冲层为Zn1‑xMgxO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4；其中所述沉积基体为依次沉积背电极和吸收层的衬底，所述子缓冲层沉积于所述吸收层上；及(2)、将步骤(1)进行多次，且保持多次步骤(1)中x值在0至t的范围内逐渐减小，得到所述薄膜太阳能电池的缓冲层，所述缓冲层包括依次叠合的多层所述子缓冲层。