[发明专利]薄膜太阳能电池及其缓冲层的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在沉积基体上依次沉积氧化锌单分子层和氧化镁单分子层，控制氧化锌单分子层和氧化镁单分子层的沉积次数比例为(1-x):x，得到子缓冲层，所述子缓冲层为Zn_1-xMg_xO，其中0≤x≤t，0.2≤t≤0.4；其中所述沉积基体为依次沉积背电极和吸收层的衬底，所述子缓冲层沉积于所述吸收层上；及

(2)、将步骤(1)进行多次，且保持多次步骤(1)中x值在0至t的范围内逐渐减小，得到所述薄膜太阳能电池的缓冲层，所述缓冲层包括依次叠合的多层所述子缓冲层。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)包括以下步骤：

将锌源前驱体通入原子层沉积设备的腔室中，使其在沉积基体上发生化学吸附形成锌单原子层；通入氧化剂，使其与吸附于沉积基体上的锌单原子层反应生成氧化锌单分子层；氧化锌单分子层的沉积次数为一次或多次；

通入镁源前驱体，使其在氧化锌分子层上发生化学吸附形成镁单原子层；通入氧化剂，使其与吸附于沉积基体上的镁单原子层反应生成氧化镁单分子层；氧化镁单分子层的沉积次数为一次或多次；其中，氧化锌单分子层的沉积次数与氧化镁单分子层的沉积次数的比例为(1-x):x；得到所述子缓冲层。

3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于，所述锌源前驱体为二乙基锌，所述镁源前驱体为二甲基镁，所述氧化剂为水。

4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于，所述锌源前驱体、所述镁源前驱体和所述氧化剂的沉积时间均为15～80ms，所述沉积基体的沉积温度为100～200℃。

5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于，在所述步骤(1)还包括步骤：将步骤(1)进行多次，且保持多次步骤(1)中x值不变，得到所需厚度的所述子缓冲层。