[发明专利]一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法

摘要

本发明是一种基于CdSe/CdS量子点及其量子限制斯塔克器件的制备方法。其量子点的制备在高温下通过恒流泵混合注入前驱体来完成，该方法新颖简单，能够得到纯纤锌矿相的、non‑blinking的CdSe/CdS量子点；器件制作在石英衬底上，通过涂胶、曝光、显影、蒸镀、清洗等过程得到周期性的交叉电极结构，电极采用Au来蒸镀，各电极间距离为2μm，并在倒置显微镜下利用白光光源测量该结构上的量子点在通上电压前后的透射谱变化。

主权项

1.一种基于CdSe/CdS量子点的制备方法，其特征在于该制备方法如下：1)60mg氧化镉、280mg十八烷基磷酸、3g三正辛基氧化磷加入50mL烧瓶，在150℃通入氩气1h，保证氩气氛围；2)在氩气氛围下，升温至320℃直至溶液呈无色透明，降至室温后加入1g三正辛基膦；3)继续升温，直至380℃，迅速注入溶有60mg硒粉的0.5mL三正辛基膦，得到合适尺寸的CdSe核量子点，降温后，提纯并溶于正己烷准备包层；4)将上面提纯干净的CdSe核量子点与3mL十八烯和3mL油胺混合，室温下通入氩气1h，然后升温至120℃再通入氩气20min，保证正己烷除尽；5)继续升温至310℃，此时用恒流泵注入浓度为0.1mol/L的油酸镉和辛硫醇的混合物，注入速度设定为3mL/h，得到尺寸合适的纯纤锌矿相非闪烁CdSe/CdS量子点。