[发明专利]一种基于量子限制斯塔克效应的电光调制器件制备方法

权利要求书

1.一种基于CdSe/CdS量子点的制备方法，其特征在于该制备方法如下：

1)60mg氧化镉、280mg十八烷基磷酸、3g三正辛基氧化磷加入50mL烧瓶，在150℃通入氩气1h，保证氩气氛围；

2)在氩气氛围下，升温至320℃直至溶液呈无色透明，降至室温后加入1g三正辛基膦；

3)继续升温，直至380℃，迅速注入溶有60mg硒粉的0.5mL三正辛基膦，得到合适尺寸的CdSe核量子点，降温后，提纯并溶于正己烷准备包层；

4)将上面提纯干净的CdSe核量子点与3mL十八烯和3mL油胺混合，室温下通入氩气1h，然后升温至120℃再通入氩气20min，保证正己烷除尽；

5)继续升温至310℃，此时用恒流泵注入浓度为0.1mol/L的油酸镉和辛硫醇的混合物，注入速度设定为3mL/h，得到尺寸合适的纯纤锌矿相非闪烁CdSe/CdS量子点。

2.一种采用权利要求1的制备方法所制备的量子点的量子限制斯塔克器件的制备方法，其特征在于基于CdSe/CdS量子点的量子限制斯塔克器件是以石英片为衬底，制备方法如下：

1)衬底脱水烘烤，在真空或干燥氮气的气氛中，以150～200℃烘烤；

2)旋转涂胶，石英衬底上涂一层负su8光刻胶，厚度为2μm；

3)软烤，去除光刻胶中的大部分溶剂并使胶的曝光特性固定，软烤温度是90～100℃，时间为10min；

4)用周期性交叉结构的掩膜版挡住衬底进行曝光；

5)曝光后烘烤，激活曝光后的光刻胶化学性能，温度为90℃，时间为5min；

6)显影，浸泡在浓度为5％的NaOH溶液，通过控制浸泡时间控制显影程度；

7)硬烤，在真空或干燥氮气的气氛中，以150～200℃烘烤，去除残余显影液和蒸馏水；

8)用高真空镀膜机镀上一层厚度为2μm的Au；

9)用丙酮的光刻胶清洗液浸泡已镀Au的石英片，去除su-8及其上面的Au得到周期性Au电极结构，电极左右两侧凸出来的部分为外接电压的正负极；

10)在倒置显微镜下，将纯纤锌矿相非闪烁的CdSe/CdS量子点滴在交叉电极之间，利用白光光源测量通上电压前后的透射谱变化。