[发明专利]一种MOS管有效
| 申请号： | 201511017962.9 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105470308B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中感微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所(普通合伙) 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡新区清源路1*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及MOS管版图设计。在一个实施例中，MOS管呈阵列排布的多个栅极单元，每个栅极单元呈正方形，每个栅极单元包括四个边部以及四个角区，相邻的两个栅极单元之间间隔预定距离，其中至少具有互相相邻的四个栅极单元，该四个栅极单元都具有一个角区与其他三个栅极单元的角区相邻且对应；位于各个栅极单元内的漏极区；位于各个栅极单元内的漏极区的中心处的漏极接触孔；位于各个栅极单元之间的源极区；位于所述四个栅极单元的相互相邻的四个角区围绕的源极区的中心处的源极接触孔。本发明实施例针对需要较大漏极间距的功率器件设计了新型版图结构，减小了芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos | ||
【主权项】：
1.一种MOS管，包括：呈阵列排布的多个栅极单元，每个栅极单元呈正方形，每个栅极单元包括四个边部以及四个角区，相邻的两个栅极单元之间间隔预定距离，其中至少具有互相相邻的四个栅极单元，该四个栅极单元都具有一个角区与其他三个栅极单元的角区相邻且对应；位于各个栅极单元内的漏极区；位于各个栅极单元内的漏极区的中心处的漏极接触孔；位于各个栅极单元之间的源极区；位于所述四个栅极单元的相互相邻的四个角区围绕的源极区的中心处的源极接触孔；其中，漏极接触孔和源极接触孔为正方形时，所述正方形彼此成45度角旋转关系。
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