[发明专利]一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法

摘要

本发明提供一种绝缘体岛上硅衬底材料及其制备方法，所述绝缘体岛上硅衬底材料，包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，且于对应于制备晶体管沟道的位置具有直至所述底层硅的凹槽；顶层硅，结合于所述绝缘层表面。本发明通过在对应于制备晶体管沟道的绝缘层中制作凹槽，该凹槽贯穿于顶层硅及底层硅之间，使得后续制备的晶体管沟道下方具有挖空区域。本发明结构及方法简单，可有效提高器件的可靠性，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种绝缘体岛上硅衬底材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：步骤1)，提供第一硅衬底，于所述第一硅衬底表面形成绝缘层；步骤2)，对所述第一硅衬底进行剥离离子注入，于所述硅衬底中定义剥离界面；步骤3)，于所述绝缘层表面形成掩膜层，并于对应于制备晶体管沟道的位置形成刻蚀窗口；步骤4)，基于刻蚀窗口刻蚀所述绝缘层，形成直至所述第一硅衬底的凹槽；步骤5)，提供第二硅衬底，并键合所述第二硅衬底及所述绝缘层；步骤6)，进行退火工艺使所述第一硅衬底从剥离界面处剥离，与所述绝缘层键合的部分作为绝缘体岛上硅衬底材料的硅顶层；步骤7)，进行高温退火，以加强所述第二硅衬底及所述绝缘层的键合强度。