[发明专利]一种半导体处理器及用于半导体处理器的多区控温加热器在审
| 申请号： | 201511012714.5 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935468A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 万磊;倪图强;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H05B3/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 徐雯琼,张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体处理器，包括一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括反应腔体侧壁以及位于反应腔体内的一基座，基座上方包括一加热器，加热器上方固定有静电夹盘用于固定待处理基片，其特征在于所述加热器包括下层加热层和上层加热层，其中下层加热层通过第一绝缘层固定到所述基座，上层加热层和下层加热层之间还包括第二绝缘材料层，其中上层加热层中的电热丝的加热功率小于下层加热层的电热丝的功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理器 用于 多区控温 加热器 | ||
【主权项】：
一种半导体处理器，包括：一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁以及位于反应腔体内的一基座，基座上方包括一加热器，加热器上方固定有静电夹盘用于固定待处理基片，其特征在于所述加热器包括下层加热层和上层加热层，其中下层加热层通过第一绝缘层固定到所述基座，上层加热层和下层加热层之间还包括第二绝缘材料层，其中上层加热层中的电热丝的加热功率小于下层加热层的电热丝的功率。
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