[发明专利]一种半导体处理器及用于半导体处理器的多区控温加热器

权利要求书

1.一种半导体处理器，包括：

一反应腔体围绕构成气密空间，反应腔体包括：反应腔体侧壁以及位于反应腔体内的一基座，基座上方包括一加热器，加热器上方固定有静电夹盘用于固定待处理基片，

其特征在于所述加热器包括下层加热层和上层加热层，其中下层加热层通过第一绝缘层固定到所述基座，上层加热层和下层加热层之间还包括第二绝缘材料层，其中上层加热层中的电热丝的加热功率小于下层加热层的电热丝的功率。

2.如权利要求1所述的半导体处理器，其特征在于，所述上层加热层上方还包括第三绝缘材料层通过一层粘接材料层与静电夹盘相固定。

3.如权利要求1所述的半导体处理器，其特征在于，所述上层加热层中电热丝的电阻大于下层加热层中电热丝的电阻。

4.如权利要求1所述的半导体处理器，其特征在于，所述上层、下层加热层具有多个独立控制的加热区域，其中下层加热层加热整个静电夹盘，上层加热层覆盖部分静电夹盘区域。

5.如权利要求4所述的半导体处理器，其特征在于，所述上层加热层中的独立控制加热区域数量大于下层加热层独立控制加热区的数量。

6.如权利要求4所述的半导体处理器，其特征在于，还包括第一加热驱动电路接收所述下层加热层中多个加热区域的温度，并将获得的温度与预设的基础温度比较，根据比较结果输出加热功率到所述下层加热层的多个加热区域中的电热丝，使得下层加热层各个加热区域具有预设的基础温度。

7.如权利要求6所述的半导体处理器，其特征在于，还包括第二加热驱动电路接收所述上层加热层中多个加热区域的温度，并将获得的温度与预设处理温度比较，并获得多个温度差值△T，查询温度差值△T与对应的基础温度关系数据库，获得输入多个加热区域电热丝的功率；使得加热器上表面具有预设的处理温度。

8.一种用于半导体处理器的多区控温加热器， 其特征在于，所述加热器包括下层加热层和上层加热层，其中下层加热层下方包括第一绝缘层，上层加热层和下层加热层之间还包括第二绝缘材料层，上层加热层上方包括第三绝缘层，其中上层加热层中的电热丝的加热功率小于下层加热层的电热丝的功率，上层加热层中电热丝的电阻大于下层加热层中电热丝的电阻。

9.如权利要求8所述的多区控温加热器，其特征在于，所述上层、下层加热层具有多个独立控制的加热区域，其中下层加热层的多个加热区域覆盖整个加热器平面，上层加热层的多个加热区域覆盖部分加热器平面。

10.如权利要求8所述的多区控温加热器，其特征在于，上层加热层中的独立控制加热区域数量大于下层加热层独立控制加热区域的数量。