[发明专利]半导体芯片及其形成方法有效
| 申请号： | 201511009450.8 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105489582B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;王鑫琴 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215026 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片及其形成方法，所述半导体芯片具有集成电路以及与所述集成电路电连接的焊垫，所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层；所述焊垫上具有激光打孔区域，介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触，本发明提高了焊垫的激光打孔的质量且降低了激光打孔的难度，激光作用于金属物质上而避免与介质层接触，能够有效防止介质层热变形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，具有集成电路以及与所述集成电路电连接的焊垫，所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层；其特征在于，所述焊垫上具有激光打孔区域，介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触，采用激光打孔方法对激光打孔区域内的金属层和金属塞进行打孔，形成激光孔。
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