[发明专利]半导体芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，具有集成电路以及与所述集成电路电连接的焊垫，所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层；

其特征在于，

所述焊垫上具有激光打孔区域，介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触，

采用激光打孔方法对激光打孔区域内的金属层和金属塞进行打孔，形成激光孔。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述至少两层金属层包括第一金属层以及与所述第一金属层相邻的第二金属层，所述金属塞包含：

与所述第一金属层以及所述开口的侧壁接触的阻挡层；

位于所述阻挡层上的扩散阻挡层；

位于所述扩散阻挡层上且填充所述开口的填充金属。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述填充金属的材质为钨。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于，所述阻挡层的材质为钛，所述扩散阻挡层的材质为氮化钛。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述介质层中开口之外的区域具有多个导电塞，所述导电塞的两端分别与相邻的金属层电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于，所述导电塞的材质与所述金属塞的材质相同。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述激光打孔区域内设置有激光孔，所述激光孔穿透所述金属层以及所述金属塞。

8.一种如权利要求1所述半导体芯片的形成方法，其特征在于，包含如下步骤：

提供晶圆，所述晶圆具有多个阵列排布的半导体芯片；

在所述半导体芯片上形成集成电路；

在所述半导体芯片上形成与所述集成电路电连接的焊垫；

所述焊垫包括至少两层金属层以及位于相邻金属层之间的介质层；

所述焊垫上具有激光打孔区域，所述介质层上对应所述激光打孔区域设置开口，在所述开口中设置金属塞，所述金属塞的两端分别与相邻的金属层接触。

9.根据权利要求8所述半导体芯片的形成方法，其特征在于，在形成所述金属塞的同时在所述介质层中开口之外的区域形成多个导电塞，所述导电塞的两端分别与相邻的金属层电连接。

10.一种如权利要求1所述半导体芯片的形成方法，其特征在于，形成金属塞的步骤包括：采用刻蚀工艺在所述介质层上形成开口；

采用沉积工艺在所述开口的底部以及所述开口的侧壁形成阻挡层；

采用沉积工艺在所述阻挡层上形成扩散阻挡层；

采用沉积工艺在所述扩散阻挡层上形成填充所述开口的填充金属。