[发明专利]鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

一种鳍部掺杂方法及鳍式场效应晶体管的制作方法，对于鳍部掺杂方法，热退火过程中，鳍部之间的半导体衬底表面具有底部扩散阻挡层，可以防止其上的P型离子扩散源中的P型离子、N型离子扩散源中的N型离子扩散入半导体衬底中，因而，同一阱区内或相邻阱区的各鳍式场效应晶体管源区/漏区不会导通，避免了读写过程中出现串扰，提高了鳍式场效应晶体管的性能。此外，由于具有底部扩散阻挡层，P型离子扩散源上的N型离子扩散源中的N型离子无法扩散入衬底，或N型离子扩散源上的P型离子扩散源中的P型离子无法扩散入衬底，因而上层离子扩散源不必去除，节省工序。

主权项

1.一种鳍部掺杂方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括用于形成第一类型鳍式场效应晶体管的第一区域与用于形成第二类型鳍式场效应晶体管的第二区域，所述第一类型与第二类型反型，所述第一区域具有第二类型阱区，所述第二区域具有第一类型阱区，所述第一区域与第二区域上表面具有若干分立的鳍部；在所述鳍部表面以及鳍部之间的半导体衬底表面沉积一底部扩散阻挡层，并在所述底部扩散阻挡层上形成一牺牲层，所述牺牲层完全填充所述鳍部之间的间隙；回蚀所述牺牲层，暴露鳍部表面的底部扩散阻挡层，并保留位于鳍部之间的半导体衬底上的牺牲层；以所述保留的牺牲层保护鳍部之间的半导体衬底表面的底部扩散阻挡层，去除鳍部表面的底部扩散阻挡层；后去除所述保留的牺牲层；在所述鳍部表面、以及鳍部之间的底部扩散阻挡层上表面依次形成第一类型离子扩散源层、第一类型离子扩散阻挡层；在所述第一类型离子扩散阻挡层上形成图形化的掩膜层，干法去除位于所述第二区域的第一类型离子扩散源层、第一类型离子扩散阻挡层；在所述第一区域的第一类型离子扩散阻挡层上表面、第二区域的鳍部以及鳍部之间的底部扩散阻挡层上表面依次形成第二类型离子扩散源层、第二类型离子扩散阻挡层；热退火，使第一类型离子扩散源层中的第一类型离子扩散入第一区域的鳍部，第二类型离子扩散源层中的第二类型离子扩散入第二区域的鳍部以对应形成两区域的掺杂鳍部。