[发明专利]超结半导体元件

摘要

一种超结半导体元件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、场绝缘层、浮接电极层、隔离层及至少一晶体管结构。漂移层内的多个n型及p型掺杂柱交替地排列，而形成超结结构。漂移层定义出元件区、过渡区及位于元件区外围的终止区，过渡区位于元件区与终止区之间。场绝缘层设置于漂移层的表面上，并覆盖终止区以及部分过渡区。浮接电极层设置于场绝缘层上，并具有一部分位于终止区内。晶体管结构包括由元件区延伸到过渡区的源极导电层，其中源极导电层由元件区延伸至过渡区，并通过隔离层与浮接电极层电性绝缘。本发明的超结半导体元件通过设置延伸到终止区内的浮接电极层，可扩大终止区内的电场分布范围，从而提高超结半导体元件整体的击穿电压。

主权项

1.一种超结半导体元件，其特征在于，所述超结半导体元件包括：一基板；一漂移层，设置于所述基板上，并具有相反于所述基板的一表面，其中所述漂移层内形成多个n型掺杂柱及多个p型掺杂柱，且多个所述n型掺杂柱与多个所述p型掺杂柱由所述表面朝所述基板的方向延伸，并交替地排列，以形成一超结结构，其中所述漂移层定义一元件区、一过渡区及一终止区，所述终止区位于所述元件区的外围，且所述过渡区位于所述元件区与所述终止区之间；一场绝缘层，设置于所述表面上，并覆盖所述终止区以及部分所述过渡区；一浮接电极层，设置于所述场绝缘层上，其中所述浮接电极层至少一部分位于所述终止区内；一隔离层，设置于所述浮接电极层上；以及至少一晶体管结构，形成于所述元件区内，其中所述晶体管结构包括至少一源极导电层，其中所述源极导电层由所述元件区延伸到所述过渡区，并和所述浮接电极层部分重叠，且所述源极导电层通过所述隔离层与所述浮接电极层电性绝缘。