[发明专利]超结半导体元件

权利要求书

1.一种超结半导体元件，其特征在于，所述超结半导体元件包括：

一基板；

一漂移层，设置于所述基板上，并具有相反于所述基板的一表面，其中所述漂移层内形成多个n型掺杂柱及多个p型掺杂柱，且多个所述n型掺杂柱与多个所述p型掺杂柱由所述表面朝所述基板的方向延伸，并交替地排列，以形成一超结结构，其中所述漂移层定义一元件区、一过渡区及一终止区，所述终止区位于所述元件区的外围，且所述过渡区位于所述元件区与所述终止区之间；

一场绝缘层，设置于所述表面上，并覆盖所述终止区以及部分所述过渡区；

一浮接电极层，设置于所述场绝缘层上，其中所述浮接电极层至少一部分位于所述终止区内；

一隔离层，设置于所述浮接电极层上；以及

至少一晶体管结构，形成于所述元件区内，其中所述晶体管结构包括至少一源极导电层，其中所述源极导电层由所述元件区延伸到所述过渡区，并和所述浮接电极层部分重叠，且所述源极导电层通过所述隔离层与所述浮接电极层电性绝缘。

2.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述浮接电极层由所述过渡区延伸至所述终止区内，所述浮接电极层位于所述终止区内的部分与所述源极导电层不重叠，且所述浮接电极层位于所述过渡区内的另一部分与所述源极导电层重叠。

3.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述漂移层在所述终止区内至少具有从靠近所述过渡区往远离所述过渡区的方向排列的一第一p型掺杂柱、一第二p型掺杂柱及一第三p型掺杂柱。

4.如权利要求3所述的超结半导体元件，其中，所述浮接电极层的末端所在的垂直平面位于所述第一p型掺杂柱与所述第二p型掺杂柱之间。

5.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述源极导电层的末端靠近所述过渡区与所述终止区的一交界。

6.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述漂移层于所述过渡区内具有至少一个p型掺杂柱以及一p型阱区，所述p型阱区连接于至少一个所述p型掺杂柱靠近所述表面的一端。

7.如权利要求6所述的超结半导体元件，其中，部分位于所述过渡区内的所述源极导电层直接接触所述表面，并电性连接所述p型阱区。

8.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述场绝缘层的厚度介于0.6μm至2.0μm之间。

9.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述晶体管结构还包括：

一基体区，连接位于所述元件区内的其中一个所述p型掺杂柱；

至少一源极区，形成于所述基体区内，其中所述源极区具有与所述基体区相反的导电型，并通过所述基体区和所述n型掺杂柱相互隔离；

一栅极绝缘层，设置于所述表面上；

一栅极层，对应于所述n型掺杂柱的位置以设置于所述栅极绝缘层上，其中所述栅极层部分重叠于所述基体区内的所述源极区上；以及

一介电层，设置于所述栅极层上，并具有至少一接触窗，其中所述源极导电层覆盖于所述介电层上，以和所述栅极层电性绝缘，且所述源极导电层通过所述接触窗与所述源极区电性连接。

10.如权利要求9所述的超结半导体元件，其中，所述栅极层与所述浮接电极层具有相同的厚度，且所述介电层与所述隔离层具有相同的厚度。

11.如权利要求1所述的超结半导体元件，其中，所述浮接电极层在所述终止区内的长度与所述终止区的宽度的比值介于0.1至0.8之间。