[发明专利]一种清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法在审
| 申请号： | 201510995063.X | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106920730A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 万磊;黄智林;刘身健 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙)31249 | 代理人： | 徐雯琼,张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有效清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法，所述方法包括第一步骤和第二步骤，在所述第一步骤中，输送O2和SF6至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少第一射频功率，将所述O2和SF6激发为等离子体，所述SF6解离出的等离子体可以对刻蚀完硅基片后残留在反应腔内的硅的残余物进行反应，生成气态的产物排出反应腔，在所述第二步骤中，输送O2至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少一第二射频功率，将所述O2激发为等离子体对沉积物中的CxFy及第一步骤中生成的固态硫及其化合物进行清洁。本发明公开的方法可以高效的清除刻蚀完硅基片后的等离子体处理装置内部侧壁及部件。保证了每片硅基片的刻蚀环境具有良好的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洁 刻蚀 硅基片 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法，所述方法在一等离子体反应腔内移出刻蚀完成的硅基片后进行，其特征在于：所述方法包括下列步骤：第一步骤，输送O2和SF6至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少第一射频功率，将所述O2和SF6激发为等离子体并维持等离子体在第一时间段内对反应腔进行清洁；第二步骤，输送O2至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少一第二射频功率，将所述O2激发为等离子体并维持所述等离子体在第二时间段内对反应腔进行清洁；所述第二时间段大于所述第一时间段。
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