[发明专利]一种清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法

权利要求书

1.一种清洁刻蚀硅基片等离子体处理装置的方法，所述方法在一等离子体反应腔内移出刻蚀完成的硅基片后进行，其特征在于：所述方法包括下列步骤：

第一步骤，输送O₂和SF₆至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少第一射频功率，将所述O₂和SF₆激发为等离子体并维持等离子体在第一时间段内对反应腔进行清洁；

第二步骤，输送O₂至所述反应腔，向所述等离子体反应腔施加至少一第二射频功率，将所述O₂激发为等离子体并维持所述等离子体在第二时间段内对反应腔进行清洁；

所述第二时间段大于所述第一时间段。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于：所述第一射频功率和第二射频功率大小相等。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于：所述第一射频功率和第二射频功率范围为100瓦-3000瓦。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于：执行所述第一步骤时反应腔内压力大于等于执行第二步骤时所述反应腔内压力。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于：所述第一步骤和所述第二步骤在所述反应腔内重复执行。

6.如权利要求5所述方法，其特征在于：所述第一步骤和第二步骤重复执行两次，第一次执行时，第一步骤中所述O₂和SF₆的比例范围为1:1~1:20；第二次执行时第一步骤中所述O₂和SF₆的比例范围为20:1~1:1。

7.如权利要求5所述方法，其特征在于：重复执行所述第一步骤和第二步骤时，最后一次执行的第二步骤内SF₆气体流量为0，非最后一次执行的第二步骤内SF₆气体不为0。

8.如权利要求1所述方法，其特征在于：所述清洁等离子体处理装置内设置可上下移动的可移动部件，移动所述可移动部件位于所述反应腔的下方，执行所述第一步骤和所述第二步骤，此时，设置所述第一步骤内SF₆气体流量为第一流量；移动所述可移动部件位于所述反应腔的上方，重复执行所述第一步骤和第二步骤，此时，设置所述第一步骤内SF₆气体流量为第二流量；所述第一流量大于等于所述第二流量。

9.如权利要求8所述方法，其特征在于：当移动所述可移动部件位于所述反应腔下方时，所述反应腔内压力为第一压力，当移动所述可移动部件位于所述反应腔上方时，所述反应腔内压力为第二压力，设置所述第一压力大于等于所述第二压力。

10.如权利要求9所述方法，其特征在于：所述第一压力大于等于100mT，所述第二压力小于等于60mT。