[发明专利]形成电子装置的方法

摘要

形成电子装置的方法包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR1‑、‑NR2C(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO2‑或任选地被取代的C1‑20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1‑20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。所述方法在半导体装置制造中发现特定可应用性，用于形成低k和超低k介电材料。

主权项

1.一种形成电子装置的方法，其包含：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：其中：Ar1、Ar2、Ar3和Ar4独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X1和X2独立地表示单键、‑O‑、‑C(O)‑、‑C(O)O‑、‑OC(O)‑、‑C(O)NR1‑、‑NR2C(O)‑、‑S‑、‑S(O)‑、‑SO2‑或任选地被取代的C1‑20二价烃基，其中R1和R2独立地表示H或C1‑20烃基；m是0或1；n是0或1；o是0或1；并且m和o不同时是0；以及(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。