[发明专利]形成电子装置的方法

权利要求书

1.一种形成电子装置的方法，其包含：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；

(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：

其中：Ar¹、Ar²、Ar³和Ar⁴独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X¹和X²独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR¹-、-NR²C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO₂-或任选地被取代的C_1-20二价烃基，其中R¹和R²独立地表示H或C_1-20烃基；m是0或1；n是0或1；o是0或1；并且m和o不同时是0；以及

(c)加热所述组合物；

其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物在聚合物主链内进一步包含二价键联基团。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述二价键联基团选自C_1-20二价氟化或非氟化烃基，所述烃基任选地在聚合物主链内含有-O-。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述二价键联基团选自以下通式(II)的基团：

其中：M¹和M²独立地选自二价芳香族基团和二价芳香族氧化物基团；Z¹表示-C(R³)(R⁴)-、-O-、-C(O)-、-S(O)-或-Si(R⁵)(R⁶)-，其中R³和R⁴独立地选自氢、羟基、C_1-5烷基和氟烷基，并且R⁵和R⁶独立地选自C_1-5烷基和氟烷基以及C_4-25芳基和氟芳基；p是0到5的整数；q是0或1；r是0或1；p+q+r>0；并且s是1到50的整数。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述聚合物进一步包含不含羟基的封端基团。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述封端基团是任选地被取代的芳香族或芳香族氧化物基团。

7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中Ar²表示任选地被取代的亚苯基。

8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述多孔特征包含宽度为20nm或更小的孔隙。

9.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中如由热解重量分析在从室温开始10℃/min的加热速率下所测定的，所述聚合物在氮气氛围下，在400℃的温度下展现小于5％的重量损失。

10.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其进一步包含：(d)从所述孔隙中去除所述聚合物。

11.如权利要求5所述的方法，其中所述封端基团选自如下：

其中“Alk”是烷基基团或者氟烷基基团。

12.一种形成电子装置的方法，其包含：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其表面上包含多孔特征；

(b)在所述多孔特征上施用组合物，其中所述组合物包含聚合物和溶剂，其中所述聚合物包含以下通式(I)重复单元：

其中：Ar¹、Ar²、Ar³和Ar⁴独立地表示任选地被取代的二价芳香族基团；X¹和X²独立地表示单键、-O-、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-、-C(O)NR¹-、-NR²C(O)-、-S-、-S(O)-、-SO₂-或任选地被取代的C_1-20二价烃基，其中R¹和R²独立地表示H或C_1-20烃基；m是0或1；n是0或1；并且o是0或1；和

在聚合物主链内的二价键联基团；以及

(c)加热所述组合物；其中所述聚合物安置在所述多孔特征的孔隙中。