[发明专利]改善高压器件性能随衬底电阻率变化的工艺控制方法有效
| 申请号： | 201510992546.4 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105513953B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 陈瑜;袁苑 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善高压器件性能随衬底电阻率变化的工艺控制方法，包括如下步骤：步骤1、按照衬底电阻率规格将衬底划分为不同的区间；步骤2、选取不同区间的硅衬底，通过深阱和高压漂移区注入实验，找到相应区间的注入条件；步骤3、在工艺流程中设定深阱和高压漂移区注入条件与衬底电阻率对应关系表，在IC制造过程中，先在线测量衬底的电阻率，在随后的注入步骤按照深阱和高压漂移区注入条件与衬底电阻率对应关系表选取相应的注入条件。本发明能使高压器件随衬底电阻率变化时改善其性能。 1 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 注入条件 电阻率 电阻率变化 高压器件 漂移区 深阱 工艺控制 关系表 在线测量 工艺流程 硅衬底 | ||
【主权项】：
1.一种改善高压器件性能随衬底电阻率变化的工艺控制方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、按照衬底电阻率规格将衬底划分为不同的区间；步骤2、选取不同区间的硅衬底，通过深阱和高压漂移区注入实验，找到相应区间的注入条件；步骤3、在工艺流程中设定深阱和高压漂移区注入条件与衬底电阻率对应关系表，在IC制造过程中，先在线测量衬底的电阻率，在随后的注入步骤按照深阱和高压漂移区注入条件与衬底电阻率对应关系表选取相应的注入条件；根据不同器件的工艺敏感程度，增加或减少所述区间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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