[发明专利]一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器

摘要

本发明公开了一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器，所述太赫兹波吸收器包括呈周期性阵列排列的基本单元，基本单元具有正面呈正方形，所述正面具有凹陷的四棱锥，基本单元之间无缝连接，所述太赫兹波吸收器的材料是磷掺杂的n型硅片或者其他半导体材料。本发明提出的硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器，通过向凹陷的结构设计，产生宽频等离子体谐振效应，增强了吸收率,同时大大提高了相对带宽，简化工艺流程，降低制作成本。

主权项

1.一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器的基本单元，其特征在于，所述基本单元为正面呈正方形的长方体，所述正面具有凹陷的立体几何图形；所述立体几何图形是棱锥、圆锥、圆柱或者长方体；所述棱锥或圆锥的倾斜角度(α)≥20°；所述基本单元的周期性长度(p)为50‑300μm、厚度(ts)为50‑500μm，所述立体几何图形的缺口长度(l)为48‑290μm、缺口深度(h)为25‑250μm，所述立体几何图形的缺口长度(l)小于等于所述基本单元的周期性长度(p)，所述立体几何图形的缺口深度(h)小于所述基本单元的厚度(ts)；所述基本单元的材料是半导体；所述半导体的生长取向为(100)、电阻率为0.01‑0.8Ωcm；所述半导体是磷掺杂的n型硅片或者硼掺杂的n型硅片。