[发明专利]一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器

权利要求书

1.一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器的基本单元，其特征在于，所述基本单元为正面呈正方形的长方体，所述正面具有凹陷的立体几何图形；

所述立体几何图形是棱锥、圆锥、圆柱或者长方体；

所述棱锥或圆锥的倾斜角度(α)≥20°；

所述基本单元的周期性长度(p)为50-300μm、厚度(t_s)为50-500μm，所述立体几何图形的缺口长度(l)为48-290μm、缺口深度(h)为25-250μm，所述立体几何图形的缺口长度(l)小于等于所述基本单元的周期性长度(p)，所述立体几何图形的缺口深度(h)小于所述基本单元的厚度(t_s)；

所述基本单元的材料是半导体；

所述半导体的生长取向为(100)、电阻率为0.01-0.8Ωcm；

所述半导体是磷掺杂的n型硅片或者硼掺杂的n型硅片。

2.根据权利要求1所述的硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器的基本单元，其特征在于，所述立体几何图形是四棱锥,四棱锥的缺口深度(h)是基本单元的厚度(t_s)的一半。

3.根据权利要求2所述的硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器的基本单元，其特征在于，所述基本单元的周期性长度(p)为200μm、厚度(t_s)为250μm，所述棱锥的缺口长度(l)为160μm、缺口深度(h)为160μm、倾斜角度(α)为54.74°。

4.一种硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器，其特征在于，包括如权利要求1至3任一所述的硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器的基本单元，所述基本单元呈周期性阵列排列，所述基本单元之间无缝连接。

5.一种如权利要求4所述的硅基等离子体超宽频带太赫兹波吸收器的制备方法，其特征在于，采用激光刻蚀工艺制备，步骤为：

(1)使用丙酮和异丙醇溶液洗涤半导体材料，然后脱水烘干；

(2)在干燥后的半导体材料上旋涂光刻胶并采用深反应离子刻蚀技术刻蚀太赫兹波吸收器的结构模型；

(3)将涂胶后的半导体材料和旋涂光刻胶的掩模在紫外线下进行曝光；

(4)将曝光后的胶层显影，然后烘干；

(5)使用氧等离子体清理刻蚀后的半导体材料上的聚合物残渣；上述过程均在真空环境下进行。