[发明专利]背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池在审
| 申请号： | 201510980464.8 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910782A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙翔;姚云江 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)11447 | 代理人： | 周建秋,王浩然 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池，该背接触太阳能电池片包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线(1)、位于硅片侧面的侧面连接件(10)、位于硅片背光面的正电极(6)和负电极(8)；所述负电极(8)与硅片的背光面绝缘，所述负电极(8)与所述受光栅线(1)通过侧面连接件(10)电连接；所述正电极(6)与硅片背光面间还设置有背电场(5)，所述正电极(6)与背电场(5)电接触。本发明的太阳能电池片制备方法不仅简单易操作，制备的太阳能电池片受光面积大，而且太阳能电池节省材料，可以增加电池发电功率。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背接触太阳能电池片，其特征在于，包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线(1)、位于硅片侧面的侧面连接件(10)、位于硅片背光面的正电极(6)和负电极(8)；所述负电极(8)与硅片的背光面绝缘，所述负电极(8)与所述受光栅线(1)通过侧面连接件(10)电连接；所述正电极(6)与硅片背光面间还设置有背电场(5)，所述正电极(6)与背电场(5)电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
